パルスレーザー堆積法によるGa-Zn-O系透明導電膜の成膜温度の低温化
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概要
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Approximately 250-nm-thick Ga-doped zinc oxide (GZO: 3 wt.% Ga2O3) films have been prepared on glass substrates at room temperature by pulsed laser deposition (PLD) using ArF excimer laser. During the deposition process, oxygen with partial pressure of 0-1.0 Pa was introduced in the chamber. The film fabrication was carried out under condition of laser energy density with 0.6 to 2 J/cm2. The lowest resistivity of 3.34×10-4 Ω•cm was obtained under optimized condition of laser energy density of 1 J/cm2 with oxygen partial pressure of 1.0 Pa. For the GZO films fabricated with laser energy density of 1 and 2 J/cm2, the values of surface roughness Ra obtained by AFM observation were 2.93 and 3.14 nm, respectively.
- 日本真空協会の論文
- 2006-06-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
上原 賢二
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
安倉 秀明
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
高橋 謙太郎
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
安倉 秀明
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
-
青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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