パルスレーザー堆積法により作製したWO_3光記録膜(2)
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概要
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Tungsten oxide films were deposited on glass substrates (Corning #7059) and polycarbonate substrates by a pulsed laser deposition technique using the both targets WO3 and WO2. At this time, the difference in the transmittance, ΔT, between the annealed state and the as-deposited state of the films fabricated with WO2 target was about 70% at the wavelength of 400 nm and that of the films prepared with the WO3 target was about 60%. From XRD spectra and XPS spectra, it was found that the as-deposited state was an oxygen-deficient amorphous state and the crystalline state was caused by absorbing oxygen through the annealing process (at 500°C×10 min).It was confirmed from the revolution-test of the disc structure that the values of CNR obtained at the write peak power 7.5∼9 mW was more than 50∼60 dB. From SEM images of top the view, it was presumed that a recording mechanism was related to a cooperative effect of the reflectivity change and the volume change induced in the recorded dot.
- 日本真空協会の論文
- 2005-03-20
著者
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青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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奥田 昌宏
奥田技術事務所
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奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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田辺 憲司
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥田 昌宏
大阪府立大学
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秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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鈴木 晶雄
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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青木 孝憲
大阪産業大学 工学部電気電子工学科
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