奥田 昌宏 | 大阪府立大学工学部電子物理工学科
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概要
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甲藤 正人
大阪府立大学工学部電子物性工学科
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宮崎大学工学部電気電子工学科
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宮崎大学工学部電気電子工学科
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甲藤 正人
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イオン工学センター
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愛知工業大学
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愛知工業大学
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愛知工業大学
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大阪府立産業技術総合研究所
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日本原子力研究所放射光科学研究センター
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近藤 敏啓
北海道大学大学院理学研究科
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田中 彰博
アルバック・ファイ(株)
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李 奎毅
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大阪大学工学部
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東洋大学工学部
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長谷川 和彦
大阪大学大学院工学研究科
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加藤 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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浦谷 文博
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久保 和也
北海道大学工学部
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安井 利明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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岡山大学自然科学研究科
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服部 望
岡山大学自然科学研究科
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森居 隆史
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日下 征彦
岡山大学自然科学研究科
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岩見 基弘
岡山大学自然科学研究科
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井上 昭浩
福井工業高等専門学校
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川崎製鉄(株)技術研究所
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高橋 夏木
日本真空技術(株)産業機器事業部
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大久保 治
日本真空技術(株)産業機器事業部
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水木 純一郎
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川崎製鉄(株)技術研究所
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畑村 洋太郎
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吉村 雅満
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小嶋 薫
豊田工業大学
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杉本 敏司
大阪大学大学院工学研究科原子分子イオン制御理工学センター
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村上 寛
電子技術総合研究所
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藤田 雅美
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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広畑 優子
北海道大学大学院工学研究科
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加地 博子
岡山理科大学工学部
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小林 司
アネルバ(株)プロセス開発研究所
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上田 新次郎
株式会社日立製作所機械研究所
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山西 博史
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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石川 雄一
株式会社日立製作所機械研究所
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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竹内 晃久
(財)高輝度光科学研究センター
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吉森 昭夫
岡山理科大学
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斎藤 一也
日本真空技術株式会社
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関根 重幸
電子技術総合研究所
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瀧川 靖雄
阪電通大
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黒澤 宏
宮崎大学
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瀧川 靖雄
大阪電気通信大学
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佐々木 亘
宮崎大学
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堂丸 隆祥
大阪府立大学付属研究所
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清水 克祐
三菱重工業(株)
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佐藤 幸恵
日本真空技術(株)筑波超材研
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内田 悦行
愛知工業大学
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黒河内 智
理化学研究所
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渡部 秀
理化学研究所
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本間 禎一
千葉工業大学工学部
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赤石 憲也
核融合科学研究所
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武智 誠次
大阪大学大学院工学研究科
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田中 勝敏
大阪大学大学院工学研究科附属超高温理工学研究施設
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美本 和彦
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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松本 貴士
大阪大学大学院工学研究科超高温理工学研究施設
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上田 一之
豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター
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鷹野 一朗
工学院大学電気工学科
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沢田 芳夫
工学院大学電気工学科
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酒井 明
京都大学工学部付属メゾ材料研究センター
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笠井 秀明
大阪大学大学院工学研究科
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高木 望
日本真空技術
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廣木 成治
日本原子力研究所・那珂研究所
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丹澤 貞光
日本原子力研究所・那珂研究所
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野田 耕司
放射線医学総合研究所
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小島 昭
群馬工業高等専門学校
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藤本 圭一
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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大倉 重治
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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本多 信一
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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片山 光浩
大阪大学工学研究科電子工学専攻
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櫻井 芳昭
大阪府立産業技術総合研究所
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佐藤 吉博
高エネルギー加速器研究機構
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鈴木 芳生
(財)高輝度光科学研究センター
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山本 雅彦
大阪大学大学院工学研究科
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佐久間 泰
ダイゴールド株式会社
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文 元鐵
大阪大学産業科学研究所
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加藤 隆男
株式会社荏原総合研究所精密電子研究所
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高木 祥示
東邦大学理学部
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田辺 徹美
高エネルギー加速器研究機構(kek)
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吉信 達夫
大阪大学産業科学研究所
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岩崎 裕
大阪大学産業科学研究所
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柿原 和久
高エネルギー加速器研究機構
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関口 敦
日電アネルバ
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加藤 正明
群馬工業高等専門学校
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久保田 雄輔
核融合科学研究所
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岡田 隆弘
千葉工業大学精密機械工学科
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山村 泰道
岡山理科大学
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水野 善之
日本バルカー工業(株)
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斉藤 芳男
高エネルギー物理学研究所
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永井 康睦
日立電線(株)システムマテリアル研究所
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広林 茂樹
富山大学工学部
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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古橋 秀夫
愛知工業大学 電気学科 情報通信工学専攻
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首藤 健一
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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大谷 和男
大阪工業技術研究所
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道園 真一郎
高エネルギー加速器研究機構
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中川 行人
日電アネルバ株式会社研究開発本部
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後藤 哲二
東邦大学理学部
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大塚 康二
サンケン電気
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田中 武
広島工業大学
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矢部 勝昌
北海道工業技術研究所
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藤田 静雄
京都大学大学院
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久保 富夫
高エネルギー加速器研究機構
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関川 健太郎
埼玉大学
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川畑 敬志
広島工業大学
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淡路 晃弘
(財)高輝度光科学研究センター
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高野 秀和
(財)高輝度光科学研究センター
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田村 繁治
大阪工業技術研究所
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興地 斐男
和歌山工業高等専門学校
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沖村 邦雄
東海大学工学部電子工学科
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福田 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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穴見 昌三
高エネルギー物理学研究所
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林 和孝
三菱電機通信機製作所
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星野 英光
大阪府立産業技術総合研究所
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石神 逸男
大阪府立産業技術総合研究所
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三浦 健一
大阪府立産業技術総合研究所
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水越 朋之
大阪府立産業技術総合研究所
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井上 成美
防衛大学校
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柏原 茂
防衛大学校
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尾崎 立哉
防衛大学校
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戸嶋 成忠
防衛大学校
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吉田 貞史
電子技術総合研究所
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黒澤 宏
宮崎大学地域共同研究センター
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浅野 清光
高エネルギー加速器研究機構
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工藤 勲
電子技術総合研究所
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小林 信一
埼玉大学
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鷹野 一朗
工学院大学
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吉竹 正明
大阪府立産業技術総合研究所
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野坂 俊紀
大阪府立産業技術総合研究所
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柿原 和久
高エネルギー物理学研究所
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大田 暢彦
(株)安川電機 開発研究所
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高橋 直樹
日本真空技術(株)
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辻 泰
(株)アルバック・コーポレートセンター
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秋道 斉
(株)アルバック・コーポレートセンター
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竹内 協子
(株)アルバック・コーポレートセンター
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荒井 孝夫
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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田中 智成
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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山納 康
埼玉大学
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壁谷 善三郎
三菱重工業
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橋場 正男
北海道大学工学部
-
山科 俊郎
北海道大学工学部
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池田 省三
金属材料技術研究所
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蟹江 壽
東京理科大学
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中谷 訓幸
富山大学工学部
-
広畑 優子
北海道大学工学部
-
戸部 了己
アネルバ(株)
-
戸部 了己
日電アネルバ株式会社
-
佐々木 雅夫
日電アネルバ株式会社
-
岡田 修
日電アネルバ株式会社
-
細川 直吉
日電アネルバ株式会社
著作論文
- 高周波スパッタリング法にて作製したZnO : Al薄膜の結晶成長-スパッタ圧力依存性-
- パルスレーザー堆積法で作製した酸化亜鉛・酸化ガリウム系光記録膜
- β-FeSi_2薄膜のNd:YAGレーザーによるアニーリング効果
- ArFエキシマレーザーによりレーザーアニーリングを施したβ-FeSi_2薄膜
- スプリットターゲットを用いるパルスレーザー堆積法により作製したGa_2O_3-In_2O_3系透明導電膜
- 結晶Si_3N_4のArFエキシマレーザー照射効果
- イメージングプレートのナノ秒紫外パルス光を用いた画像記録への応用 : 画像変換技術関連 : 情報入力 : 情報ディスプレイ
- イメージングプレートのナノ秒紫外パルス光を用いた画像記録への応用
- PLD法によりPVC基板上へ作製した酸化亜鉛系透明導電膜の成膜条件の最適化
- パルスレーザー堆積法により作製したWO_3光記録膜(2)
- レーザー波長を変化させたパルスレーザー堆積法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜
- レーザーアブレーション法により作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)膜のレーザーアニールによる特性改善
- Nd:YAG レーザを用いたPLD法によるβ-FeSi_2薄膜の作製と評価
- ArFエキシマレーザーによるβ-FeSi_2薄膜の作製とアニール効果
- Nd:YAGレーザーを用いたパルスレーザー堆積法によるβ-FeSi_2薄膜の作製と特性改善
- レーザーアブレーション法により作製した透明導電膜のレーザーアニールによる特性改善
- パルスレーザー堆積法でプルームに磁場を印加して作製した酸化亜鉛系透明導電膜のドーパント依存性
- Low Resistivity Transparent Conducting Oxide Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
- PLD法により作製したZnO/In_2O_3積層構造光記録膜
- 磁場を印加したPLD法で作製した低抵抗AZO系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法でプルームに磁場を印加して作製したAl-Zn-O系透明導電膜
- 加熱したメッシュを用いたレーザーアブレーション法により作製した酸化亜鉛透明導電膜
- ブルーレーザー対応型光ディスクにおける特性の改善
- 高出力エキシマレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で作製した酸化インジウムスズ透明導電膜
- 高出力パルスレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で作製した鉄シリサイド(β-FeSi_2)薄膜
- 高周波スパッタリング法により作製した金属・酸化物積層型光記録膜
- 酸化物スプリットターゲットを用いたパルスレーザー堆積法で作製した積層型光記録膜
- 無金属フタロシアニンの過渡正孔輸送 : パーコレーション過程の重要性
- ネマティック液晶の低周波領域における誘電特性
- 3G317 過渡電流法によるツイストネマティック液晶の回転粘性率測定
- 有機-無機複合系の新しい機能
- STSによる有機膜の負性抵抗特性
- アモルファス半導体の過渡光電流における分散パラメ-タの温度依存性について
- 3F105 ネマティック液晶の過渡放電電流
- 1L315 液晶光-光変調効果における吸着電荷の影響
- 1L310 液晶過渡電流における不純物イオンの影響
- Time-of-Flight法およびTransient Photodecay法により導出された非晶質As2Se3の局在準位について--表面準位の影響
- 3B19 ネマチック液晶における極性反転電流の配向依存性
- 3B18 ネマチック液晶の印加電圧極性反転による光透過特性
- 非晶質セレンのキャリア輸送について
- 非晶質As2Se3のキャリヤ輸送特性における光照射効果
- ArFエキシマレーザーを用いたパルスレーザー堆積法で作製したITO透明導電膜の電気特性の成膜速度依存性
- パルスレーザー堆積法により作製したZoO系光記録膜(II)
- 2S06 ネマテック表面配向のモンテ・カルロ計算
- 2A19 ネマテック層の配向条件の検討
- オゾンとニオイ脱臭 (特集 電気技術者が知っておきたい 環境テクノロジー,クリーンエネルギー)
- 非対称2重障壁構造における共鳴トンネル効果の解析
- STMにおける共鳴トンネル効果とその負性抵抗特性
- 金属+酸化物混合薄膜を用いた青色レーザー対応型高密度光ディスク
- 電界を印加したPLD法で作製した酸化亜鉛系透明導電膜
- レーザーアブレーション法によって作製したZnO:A1薄膜の電気的光学的特性
- 基板回転型高周波マグネトロンスパッタ法にて作成したZnO:Al透明導電膜の特性
- RFマグネトロンスパッタ法にて作成したZnO:Al薄膜の結晶化過程
- 高周波スパッタリング法による相変化形Ge-Sb-Te+Ag系光記録膜
- 相変化光ディスクの高密度化
- パルスレーザー堆積法により作製した凹凸構造を有するZnO系透明導電膜
- スプリットターゲットを用いたレーザアブレーション法によるZnO系透明導電膜の作製
- 酸化亜鉛系ホモp-i-n接合の作製と光起電力特性
- パルスレーザー堆積法を用いて作製した積層型透明導電膜
- スプリットターゲットを用いるパルスレーザー堆積法により作製したZnO系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法でプルームに垂直な磁場を印加して作製したZnO:Ga透明導電膜
- パルスレーザー堆積法を用いて磁場下で作製した透明導電膜
- 高周波スパッタリング法を用いて作製した金属インジウム・酸化ガリウム光記録膜
- 多元同時スパッタリング法により作製したZnO系光記録膜
- 高周波スパッタ法により作製したZnO系光記録膜
- パルスレーザー堆積法により作製した凹凸構造を有するZnO系透明導電膜(II)
- 高周波スパッタ法により作製したGaIn系酸化物光記録膜
- パルスレーザー堆積法により作製したGa_2O_3+In_2O_3光記録膜
- スパッタ法により作製したZnO系光記録膜
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- パルスレーザー堆積法で作製した酸化亜鉛・酸化ガリウム系光記録膜
- β-FeSi_2薄膜のNd:YAGレーザーによるアニーリング効果