吉田 貞史 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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吉田 貞史
電子技術総合研究所
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吉田 貞史
電総研
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三沢 俊司
日本真空超材研
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鈴木 義茂
電総研
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三沢 俊司
電総研
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片山 利一
電総研
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村上 寛
電子技術総合研究所
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片山 利一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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原 史朗
産業技術総合研究所
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遠藤 和弘
電子技術総合研究所
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原 史朗
独立行政法人産業技術総合研究所
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村上 寛
産総研
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村上 寛
産業技術総合研究所
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権田 俊一
電総研
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瀬恒 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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工藤 勲
電総研
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工藤 勲
電子技術総合研究所
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瀬垣 謙太郎
松下電器産業(株)中央研究所
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工藤 勲
北海道大学
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瀬垣 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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青柳 克信
理研
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安藤 功兒
電総研
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横山 侑子
電総研
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瀬恒 謙太郎
松下電器中央研究所
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横山 侑子
産総研エレクトロニクス
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市川 洋
松下電器中央研究所
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市川 洋
松下中央研究所
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瀬恒 謙太郎
松下中央研究所
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久保 知也
明大理工
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原 史朗
電子技術総合研究所
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三浦 登
東大物性研
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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本島 修
核融合科学研究所
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工藤 勲
北海道大学工学部機械工学科
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市ノ川 竹男
早大理工
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日下田 恵一
早大理工
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内田 和人
東大物性研
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金子 英司
東洋大学工学部
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中尾 昌夫
三洋電機筑波研
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加藤 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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久保 和也
北海道大学工学部
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鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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坂本 吉亮
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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和田 直己
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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奥田 昌宏
大阪府立大学工学部電子物理工学科
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松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
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鈴木 一弘
川崎製鉄(株)技術研究所
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高橋 夏木
日本真空技術(株)産業機器事業部
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大久保 治
日本真空技術(株)産業機器事業部
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斎藤 和雄
名古屋工業技術研究所
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鈴木 芳生
日立製作所中央研究所
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中川 愛彦
電総研
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清水 肇
電子技術総合研究所
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小林 康宏
川崎製鉄(株)技術研究所
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畑村 洋太郎
東京大学工学部
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小原 春彦
産総研
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笠原 章
金属材料技術研究所
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吉原 一紘
金属材料技術研究所
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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梅田 政一
産総研
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広畑 優子
北海道大学大学院工学研究科
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市ノ川 竹男
早稲田大学 理工学部
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小原 春彦
電総研
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上田 新次郎
株式会社日立製作所機械研究所
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秋永 広幸
Jrcat融合研
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石川 雄一
株式会社日立製作所機械研究所
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斉藤 伸二
早大理工
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国井 正文
早大理工
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三沢 俊一
電総研
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宮沢 丈夫
早大理工
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斎藤 一也
日本真空技術株式会社
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土佐 正弘
金属材料技術研究所
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関根 重幸
電子技術総合研究所
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佐藤 幸恵
日本真空技術(株)筑波超材研
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黒河内 智
理化学研究所
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渡部 秀
理化学研究所
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本間 禎一
千葉工業大学工学部
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赤石 憲也
核融合科学研究所
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木内 正人
大阪工業技術研究所
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小島 昭
群馬工業高等専門学校
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佐久間 泰
ダイゴールド株式会社
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加藤 隆男
株式会社荏原総合研究所精密電子研究所
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高木 祥示
東邦大学理学部
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柿原 和久
高エネルギー加速器研究機構
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関口 敦
日電アネルバ
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加藤 正明
群馬工業高等専門学校
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久保田 雄輔
核融合科学研究所
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斉藤 芳男
高エネルギー物理学研究所
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永井 康睦
日立電線(株)システムマテリアル研究所
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板倉 明子
金属材料技術研究所
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大谷 和男
大阪工業技術研究所
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道園 真一郎
高エネルギー加速器研究機構
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中川 行人
日電アネルバ株式会社研究開発本部
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後藤 哲二
東邦大学理学部
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大塚 康二
サンケン電気
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田中 武
広島工業大学
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矢部 勝昌
北海道工業技術研究所
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佐々木 智
東大物性研
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川畑 敬志
広島工業大学
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田村 繁治
大阪工業技術研究所
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福田 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
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穴見 昌三
高エネルギー物理学研究所
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林 和孝
三菱電機通信機製作所
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井上 成美
防衛大学校
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柏原 茂
防衛大学校
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尾崎 立哉
防衛大学校
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戸嶋 成忠
防衛大学校
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吉田 貞史
埼玉大学工学部電気電子システム工学科
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浅野 清光
高エネルギー加速器研究機構
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柿原 和久
高エネルギー物理学研究所
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高橋 直樹
日本真空技術(株)
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辻 泰
(株)アルバック・コーポレートセンター
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秋道 斉
(株)アルバック・コーポレートセンター
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竹内 協子
(株)アルバック・コーポレートセンター
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荒井 孝夫
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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田中 智成
(株)アルバック・コーポレトーセンター
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橋場 正男
北海道大学工学部
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山科 俊郎
北海道大学工学部
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池田 省三
金属材料技術研究所
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梶村 皓二
電子技術総合研究所
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蟹江 壽
東京理科大学
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広畑 優子
北海道大学工学部
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武内 豊
明大工
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戸部 了己
日電アネルバ株式会社
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佐々木 雅夫
日電アネルバ株式会社
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岡田 修
日電アネルバ株式会社
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細川 直吉
日電アネルバ株式会社
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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稲吉 さかえ
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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三沢 俊司
日本真空技術(株)筑波超材料研究所
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一村 信吾
電子技術総合研究所
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永関 一也
山梨大学工学部
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楠 秀樹
山梨大学工学部
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斉藤 幸典
山梨大学工学部
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菅ノ又 伸治
山梨大学工学部
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石川 稜威男
山梨大学工学部
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大手 丈夫
群馬工業高等専門学校
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伊佐 弘
大阪工業大学
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梅田 政一
電総研
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茶谷原 昭義
大阪工業技術研究所
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阪口 享
大阪工業技術研究所
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北村 順也
電子技術総合研究所
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泉 順
群馬工業高等専門学校電子情報工学科
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根岸 恒雄
群馬工業高等専門学校
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大泊 巌
早大理工
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藤井 隆満
(株)セントラル硝子
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上條 栄治
龍谷大学理工学部
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
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吉岡 捷爾
高松工業高等専門学校電気工学科
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中尾 節男
名古屋工業技術研究所
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宮川 草児
名古屋工業技術研究所
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上條 長生
大阪工業技術研究所
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松岡 長
鳥取大工
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圓山 敬史
鳥取大工
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原田 寛治
鳥取大工
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岸田 悟
鳥取大工
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徳高 平蔵
鳥取大工
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藤村 喜久郎
鳥取大工
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小柳 剛
山口大工
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塩川 善郎
JRCAT(アトムテクノロジー研究体)-ATP
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菊地 俊雄
日電アネルバ株式会社
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中村 茂昭
高松工業高等専門学校
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国分 清秀
電子技術総合研究所
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伊ヶ崎 泰宏
静岡大学電子工学研究所
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斎藤 順雄
高松工業高等専門学校
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仲秋 勇
静岡県工業技術センター
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後藤 智弘
静岡大学電子工学研究所
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山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
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吉野 幸夫
(株)村田製作所
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森井 浩
広島工業大学工学部電子工学科
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峯岡 和博
広島工業大学工学部電子工学科
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伊原 英雄
電子技術総合研究所
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伊藤 進
(株)東芝京浜事業所
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大串 秀世
電子技術総合研究所材料科学部
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池山 雅美
名古屋工業技術試験所
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井野 和正
明大工
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平田 正紘
電子技術総合研究所
-
伊藤 進
(株)東芝 電力システム社 京浜事業所
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島田 茂樹
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
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丹羽 博昭
名古屋工業技術研究所
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原田 誠
北海道大学工学部原子工学科
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東 健司
(株)村田製作所
-
佐藤 勝
ダイゴールド株式会社
-
池田 佳直
日本真空技術株式会社筑波超材料研究所
-
西浦 正満
ダイゴールド株式会社
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大石 政治
ダイゴールド株式会社
-
種村 誠太
名古屋工業技術研究所
-
中尾 政之
東京大学工学部産業機械工学科
-
中尾 政之
東京大学工学系大学院総合研究機構連携工学研究プロジェクト
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
-
秋永 広幸
電総研
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阿部 尚志
明大工
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尾高 憲二
株式会社日立製作所
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黒河 明
電子技術総合研究所
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青柳 健二
山梨大学工学部
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佐々木 伸也
山梨大学工学部
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柏原 茂
防衛大学校電気工学科
-
相原 育貴
北海道大学工学部
著作論文
- 2p-B-8 C^+ビームで作製した非晶質炭素膜のELSによる解析
- 宇宙での超伝導薄膜の作製(地上での予備実験)
- 酸素圧制御による超伝導薄膜の作製(II)
- 酸素圧制御による超伝導薄膜の作製
- 25p-Q-12 Y系超伝導焼結体の磁束密度分布と臨界電流密度
- 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
- 30a-N-13 CdTe/Cd_Mn_xTe多重量子井戸構造の強磁場吸収スペクトル
- 4元混晶のバンド不連続の予測 (超格子素子基礎技術) -- (超格子設計)
- 28a-ZL-9 磁性体の磁気光学効果を用いた超伝導薄膜の磁束密度分布の観察
- ワイドギャップ半導体 : ハードエレクトロニクスと青色発光を目指して
- 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
- 28p-Y-8 UHV-STMによる3C-SiC(001)-(3X2)表面の原子像観察
- 光学多層膜コ-ティングによる選択透過膜の作製 (太陽光選択膜特集)
- Al2O3/Mo/Al2O3/Mo選択吸収膜 (太陽光選択膜特集)
- 光学多層膜コ-ティングによる選択吸収面の作製 (太陽光選択膜特集)
- AlN蒸着膜のエピタキシャル成長 (高温電子材料特集)
- AlN蒸着膜のエピタキシャル成長(研究ノ-ト)
- 13a-R-18 Au(100)面上に成長したFe超薄膜の磁気光学スペクトルV
- 24p-T-1 薄膜の物理と評価の現状
- サマリー・アブストラクト
- 化成蒸着によるSiC膜のエピタキシャル成長
- 太陽エネルギー・コレクター
- 25a-N-17 Au(100)面上のFe超薄膜の磁気光学スペクトルIII
- 28p-ZK-10 Au(100)面上のFe超薄膜の磁気光学スペクトルII
- 7p-YH-3 SiC表面の原子配列とその制御
- 3C-SiCの表面解析と原子層制御の試み (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
- 31p-S-9 Au(100)面上のFe超薄膜の磁気光学スペクトルIV:
- 30a-APS-20 Co,Fe/Au,Ag超薄膜の磁気光学効果のその場観察
- 30a-APS-19 Fe/Au(100)超薄膜の磁気光学効果
- 高周波反応性スパッタによるSn-doped In2O3膜の電気的性質 (太陽光選択膜特集)
- 高周波反応性スパッタによるSn-doped In2O3膜の光学的性質 (太陽光選択膜特集)
- スパッタリングによるIn2O3膜を用いた選択透過膜 (太陽光選択膜特集)
- 高温動作,高耐圧,大電流,低損失SiC半導体開発の現状と今後の展開
- 3C-SiC p型MOS構造の作製とそのC-V特性 (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
- 高品質・大面積3C-SiC単結晶膜の作成とその電気的特性 (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
- AlAs/GaAs極薄膜超格子の光物性 (超格子素子基礎技術) -- (超格子の構造と特性評価)
- 24p-W-18 Co/Ag, Au(111)超薄膜の磁気光学効果
- 耐苛酷環境の電子素子用半導体材料
- 半導体ヘテロ構造と超格子
- スパッタリングによるIn2O3膜を用いた選択透過膜
- 太陽光選択膜 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽エネルギ-)
- SiC耐環境光素子の研究 (光応用計測制御システムの研究開発特集) -- (光計測技術の研究)
- Drude Mirror型選択透過フィルタ-の効率 (太陽光選択膜特集)
- 選択吸収面の放射率測定 (太陽光選択膜特集)
- 選択吸収面のための金属の反射防止コ-ティング (太陽光選択膜特集)
- 選択吸収面の効率 (太陽光選択膜特集)