ワイドギャップ半導体 : ハードエレクトロニクスと青色発光を目指して

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概要

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SiやGaAs半導体よりバンドギャップ,絶縁破壊電界,キャリヤの飽和ドリフト速度,熱伝導度などの物性値の優れたワイドギャップ半導体を用いることにより,エネルギーエレクトロニクスにおける高パワー・高周波・低損失,情報エレクトロニクスにおける高集積・高速,極限環境エレクトロニクスにおける耐高温・耐放射線等の仕様限界を打ち破ろうという期待から,また,青色発光ダイオード,レーザの実現の期待から,近年ワイドギャップ半導体への関心が高まっている.このような観点から,ワイドギャップ半導体研究の現状と課題について概説しよう.
1996-12-25

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