三沢 俊司 | 日本真空超材研
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概要
関連著者
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三沢 俊司
日本真空超材研
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三沢 俊司
電総研
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吉田 貞史
電子技術総合研究所
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熊代 幸伸
電総研
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能代 幸伸
電総研
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権田 俊一
電総研
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作間 栄一郎
電総研
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青柳 克信
理研
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吉田 貞史
電総研
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原 史朗
産業技術総合研究所
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原 史朗
独立行政法人産業技術総合研究所
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原 史朗
独立行政法人 産業技術総合研究所
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西原 美一
電総研
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山口 祐二
電総研
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木村 錫一
電総研
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矢澤 直樹
電総研
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伊藤 昭夫
電総研
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梶村 皓二
電子技術総合研究所
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北村 順也
電子技術総合研究所
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大泊 巌
早大理工
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Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
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大串 秀世
電子技術総合研究所材料科学部
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原 史朗
電子技術総合研究所
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木村 錫一
愛媛大工
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原 史郎
理研
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権田 俊一
電子技術総合研究所
-
木村 錫一
愛媛大
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原 史朗
理研
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大串 秀世
電子技術総合研究所
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三沢 俊司
電子技術総合研究所
著作論文
- 高圧フラックス法によるBP単結晶の作成 (〔電気化学協会〕創立50周年記念特集号) -- (コミュニケ-ション)
- 高圧フラックス法によるBP単結晶の作成
- 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
- 高周波プラズマ帯溶融装置の試作
- 高周波プラズマ帯溶融装置の試作 : FZ・CZ法
- フローテングゾーン法によるNbN単結晶の作成 : 融液成長
- 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
- 3C-SiCヘテロ及びホモ接合光検出器の作製 (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-法によるGaAsとGaNの成長 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- 炭化硅素(SiC) (エレクトロニクス新材料のすべて--半導体関連材料から超電導材料まで) -- (半導体関連材料)
- 28p-Y-8 UHV-STMによる3C-SiC(001)-(3X2)表面の原子像観察
- 2a-RM-2 Y_9Co_7の超伝導の不均質性
- 化成蒸着によるSiC膜のエピタキシャル成長
- 光学多層膜コ-ティングによる選択透過膜の作製 (太陽光選択膜特集)
- Al2O3/Mo/Al2O3/Mo選択吸収膜 (太陽光選択膜特集)
- 光学多層膜コ-ティングによる選択吸収面の作製 (太陽光選択膜特集)
- AlN蒸着膜のエピタキシャル成長 (高温電子材料特集)
- AlN蒸着膜のエピタキシャル成長(研究ノ-ト)
- 化成蒸着によるSiC膜のエピタキシャル成長