大串 秀世 | 電子技術総合研究所

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• 大串 秀世

  電子技術総合研究所

• 大串 秀世

  電子技術総合研究所材料科学部

• 大串 秀世

  電総研

• 原 史朗

  産業技術総合研究所

• 原 史朗

  電子技術総合研究所

• 原 史朗

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 原 史朗

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 吉田 貞史

  電子技術総合研究所

• 三沢 俊司

  電総研

• 梶村 皓二

  電子技術総合研究所

• 竹内 大輔

  産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター

• 大串 秀世

  産総研:crest科技機構

• 北村 順也

  電子技術総合研究所

• 林 和志

  電子技術総合研究所材料科学部

• 三沢 俊司

  日本真空超材研

• 竹内 大輔

  電子技術総合研究所, 材料科学部

• 林 和志

  電総研

• 竹内 大輔

  (独)産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:CREST c/o 産総研

• 竹内 大輔

  (独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門

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著作論文

• ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成-電子デバイスへの適用をめざして-
• 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
• ダイヤモンドの電子材料への応用
• 水素化アモルファスシリコンの電子状態
• 7p-YH-3 SiC表面の原子配列とその制御
• SiCにおける表面構造の本質的乱れ
• ダイヤモンド半導体 : 電子デバイスへの応用を目指して
• 30p-YC-3 水素化アモルファスシリコン中のドナー準位密度の化学平衡と水素の役割

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