原 史朗 | 独立行政法人 産業技術総合研究所

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• 原 史朗

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 原 史朗

  産業技術総合研究所

• 原 史朗

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 原 史朗

  電子技術総合研究所

• 吉田 貞史

  電子技術総合研究所

• 大串 秀世

  電子技術総合研究所

• 中野 禅

  独立行政法人　産業技術総合研究所

• 前川 仁

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 池田 伸一

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 小木曽 久人

  産総研

• 中野 禅

  産業技術総合研究所

• 三沢 俊司

  電総研

• 小木曽 久人

  産業技術総合研究所

• 小木曽 久人

  (独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ

• 三沢 俊司

  日本真空超材研

• 池田 伸一

  独立行政法人　産業技術総合研究所

• KHUMPUANG Sommawan

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 前川 仁

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 吉田 知也

  産業技術総合研究所

• 知京 豊裕

  (独)物質・材料研究機構

• 青柳 克信

  理研

• 園田 早紀

  日本真空技術(株)

• 清水 三郎

  日本真空技術(株)

• 柴田 典義

  (財)ファインセラミックスセンター材料技術研究所

• 吉田 貞史

  電総研

• 幾原 雄一

  東京大学工学部

• 東 欣吾

  兵庫県立大

• 奥村 元

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 奥村 元

  電子技術総合研究所

• 行村 建

  産業技術総合研究所

• 菅原 義弘

  ファインセラミックスセンター

• 菅原 義弘

  財団法人ファインセラミックスセンター

• 寺地 徳之

  電総研

• 梶村 皓二

  電子技術総合研究所

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター

• 井手 利英

  産業技術総合研究所

• 北村 順也

  電子技術総合研究所

• 大泊 巌

  早大理工

• Ohdomari Iwao

  School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science

• 行村 建

  同志社大工

• 中野 禅

  産業技術総合研

• 大串 秀世

  電子技術総合研究所材料科学部

• 園田 早紀

  (株)アルバック 技術開発部

• 吉田 知也

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 清水 三聡

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 清水 三聡

  電子技術総合研究所

• Shen Xu-Qiang

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 沈 旭強

  電子技術総合研究所

• 井手 利英

  明治大学理工学部電子通信工学科

• 池田 伸一

  中央大理工

• 清水 三郎

  (株)アルバック 技術開発部第一研究部

• 清水 三郎

  日本真空技術

• 沈 旭強

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 東 欣吾

  兵庫県立大学

• 井手 利英

  産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター

• 原 史朗

  理研

• 柴田 典義

  Japan Fine Ceramics Center

• 行村 健

  産業技術総合研究所

• 行村 建

  同志社大学工学部

• 菅原 義弘

  (財)ファインセラミックスセンター

• 原 史朗

  産業技術総合研

• 前川 仁

  独立行政法人　産業技術総合研究所

• 長尾 昌善

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 小木曽 久人

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 吉田 知也

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 行村 建

  産業技術総合研

• 原 史朗

  独立行政法人　産業技術総合研究所

• 幾原 雄一

  東京大学工学系:東北大学WPI-AIMR:ファインセラミックスセンター

• 中野 禅

  独立行政法人産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門

• Khumpuang Sommawan

  独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

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著作論文

• ハイパワーパルススパッタ(HPPS)グロー放電プラズマの放電開始特性
• 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
• MBE成長窒化物半導体の表面構造
• 28p-Y-8 UHV-STMによる3C-SiC(001)-(3X2)表面の原子像観察
• 新機能素子研究開発の概要 (IT基盤研究開発 FED2001--2001年度新機能素子シンポジウム講演録)
• 新世代の局所クリーン化技術の最新動向 (特集 半導体工場/電子機器製造工場を支える周辺技術)
• 局所クリーンシステムの環境性能とその応用 (特集 半導体製造プロセスを支える周辺技術の最新動向)
• 表面準位密度制御による金属/半導体界面の電位障壁形成の新技術 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面物性と電子状態)
• 局所クリーン化洗浄技術 (特集 エレクトロニクス産業における洗浄)
• ごみ供給クレ-ンの自動運転システムについて
• 原子的尺度で見たシリサイド/シリコン界面の構造と性質--ショットキ-障壁の問題を中心として
• 多品種・変量時代の新世代局所クリーン化生産方式 (特集2 FPD製造工程のクリーン化技術)
• 局所クリーン化リサーチシステムと半導体表面・界面への応用
• ミニマルマニュファクチャリングと局所クリーン化生産システム
• ミニマルファブシステムの構想と実現に向けて
• fcc-Ti/6H-SiCの異相界面構造
• 金属/6H-SiC界面で見いだされたショットキーリミットと電荷中性点
• 金属/半導体界面のSchottky障壁制御技術における新展開 (特集 材料科学)
• 7p-YH-3 SiC表面の原子配列とその制御
• SiCにおける表面構造の本質的乱れ
• 3C-SiCの表面解析と原子層制御の試み (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
• ミニマルファブによる半導体工場イノベーション
• LSI産業を変えるミニマルファブ構想の進展

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