高圧フラックス法によるBP単結晶の作成

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本結晶成長学会の論文
• 1982-07-15

著者

• 熊代 幸伸

  電総研

• 権田 俊一

  電総研

• 三沢 俊司

  電総研

• 能代 幸伸

  電総研

• 三沢 俊司

  日本真空超材研

関連論文

• 2a-M-7 陽電子消滅法によるCDW転移
• 高圧フラックス法による大型BP単結晶の作成
• BP単結晶ウエハーの作成と計画
• 3p-PS-54 転位モデルによる,ピン止めされた電荷密度波のダイナミクスの研究
• 2p-KH-10 陽電子角相関法を用いた(TaSe_4)_2Iの研究
• 2p-KH-6 NbSe_3TaS_3等のCDW転移の一軸応力効果
• 13p-PS-12 2H-NbSe_2,2H-TaSe_2,1T-TaS_2中での陽電子消滅
• 27p-M-9 遷移金属カルコガナイドNbSe_2中での陽電子消滅 II
• 27p-M-2 1T-TaS_2の弾性異常
• 高圧フラックス法によるBP単結晶の作成 (〔電気化学協会〕創立50周年記念特集号) -- (コミュニケ-ション)
• 2a-D-5 PbTeの表面電子構造
• 3a-B-12 遷移金属カルコゲナイドNbSe_2中での陽電子消滅
• 3a-B-1 1T-TaS_2, NbSe_3の弾性異常
• 2p-B-8 C^+ビームで作製した非晶質炭素膜のELSによる解析
• 30p-B-3 HfS_3のXPS
• 高圧フラックス法によるBP単結晶の作成
• 2a-A-1 Nb_3Ge,Nb_3Sn表面酸化の光電子分光
• 2a-F-14 遷移金属カルコゲナイドの状態密度 : ドップラー測定
• 2a-F-15 遷移金属カルコゲナイドのフェルミ面の異方性(角相関測定)
• 2a-F-8 陽電子消滅法による1T-TaS_2のCDW転移(II)
• 熱電発電モジュ-ル用(Bi,Sb)2(Te,Se)3系厚膜素子の特性
• 1a-R-10 チャネリング法によるBP単結晶の照射損傷測定
• 2p-YF-5 3C-SiC(001)-c(2×2)炭素終端表面の原子配列構造
• 高周波プラズマ帯溶融装置の試作
• 4a-NK-8 遷移金属カルコゲナイドの陽電子寿命測定
• 2p-W-25 遷移金属カルコゲナイドの電子構造
• 3a-A-2 遷移金属カルコゲナイド結晶の成長II
• 2p-NJ-2 電界イオン顕微鏡によるMX_3の研究
• 炭化物エミッタ-の電子放射と表面--TiC単結晶を中心として
• 極薄膜系におけるエキシトン超伝導(資料)
• 2a-NL-12 遷移金属カルコゲナイドの低温ESCA
• 3a-A-1 遷移金属カルコゲナイドの結晶成長(I)
• 高周波プラズマ帯溶融装置の試作 : FZ・CZ法
• TiC単結晶(新結晶・新物質)
• キレ-ト滴定法による炭化チタンおよび窒化チタン中のチタンの定量(資料) (高温電子材料特集)
• オプトエレクトロニクス用材料--半導体を中心に(新素材開発のフロンティア)
• フローテングゾーン法によるNbN単結晶の作成 : 融液成長
• 超伝導薄膜の作成と応用
• 薄膜--その作成と応用
• 分子線エピタクシ-の真空技術 (最近の真空技術)
• 総論 (半導体ビ-ムプロセス技術)
• 新しいエピタキシャル成長法 (化合物半導体の最近の進歩)
• 3a-N-8 低温におけるn-Geの二段階抵抗減少
• 1a-TC-11 n形Geの低温における光電界効果
• 27a-Z-1 中速イオン散乱分光を用いた3C-SiC(001)表面の元素固定
• ゲルマン(GeH4)を用いた化成スパッタリングによるA15Nb3Ge膜の作製
• 3C-SiCヘテロ及びホモ接合光検出器の作製 (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
• ガスソ-ス分子線エピタキシ-法によるGaAsとGaNの成長 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• 炭化硅素(SiC) (エレクトロニクス新材料のすべて--半導体関連材料から超電導材料まで) -- (半導体関連材料)
• 28p-Y-8 UHV-STMによる3C-SiC(001)-(3X2)表面の原子像観察
• 2a-RM-2 Y_9Co_7の超伝導の不均質性
• 化成蒸着によるSiC膜のエピタキシャル成長
• 光学多層膜コ-ティングによる選択透過膜の作製 (太陽光選択膜特集)
• Al2O3/Mo/Al2O3/Mo選択吸収膜 (太陽光選択膜特集)
• 光学多層膜コ-ティングによる選択吸収面の作製 (太陽光選択膜特集)
• AlN蒸着膜のエピタキシャル成長 (高温電子材料特集)
• AlN蒸着膜のエピタキシャル成長(研究ノ-ト)
• 発光・発色現象の原理および発光・発色材料の種類とその応用 (発光・発色材料の種類とその応用)
• 高温半導体としてのリン化ホウ素
• 化合物半導体の高純度化と新機能をめざして--3-5族GaAs,InP,BP,2-6族ZnTe,ZnSe,ZnS (Annual Review ′88--新市場編) -- (レアメタルの高純度化と新機能の創製)
• 最近の電子材料-12完-超硬・超耐熱電子材料--リン化ホウ素(BP)
• 最近の電子材料-10-超硬・超耐熱電子材料--リン化ホウ素(BP)
• 最近の電子材料-11-超硬・超耐熱電子材料--リン化ホウ素(BP)
• 最近の電子材料-8-超硬・超耐熱電子材料--遷移金属・炭化物・窒化物・2ホウ化物
• 最近の電子材料-9-超硬・超耐熱電子材料--遷移金属・炭化物・窒化物・2ホウ化物
• 最近の電子材料-7-超硬・超耐熱電子材料--遷移金属・炭化物・窒化物・2ホウ化物
• 新・電気化学入門講座--電子材料入門-3-期待される新材料--機能性超高温材料を例として
• 最近の電子材料-5-超硬・超耐熱電子材料--遷移金属・炭化物・窒化物・2ホウ化物
• 最近の電子材料-6-超硬・超耐熱電子材料--遷移金属・炭化物・窒化物・2ホウ化物
• 最近の電子材料-4-超硬・超耐熱電子材料--遷移金属・炭化物・窒化物・2ホウ化物
• 高融点炭化物,窒化物,ほう化物単結晶の作成の最近の進歩
• 太陽熱発電のための選択吸収面・透過膜の研究開発について (太陽光選択膜特集)
• 化成蒸着によるSiC膜のエピタキシャル成長
• TiB2--室温超伝導体か?
• 太陽熱エネルギ-を捉える (太陽エネルギ---その利用と化学)
• 太陽光選択膜 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽エネルギ-)
• オプト・エレクトロニクス (フュ-チャ-・エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク