発光・発色現象の原理および発光・発色材料の種類とその応用 (発光・発色材料の種類とその応用)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 2a-M-7 陽電子消滅法によるCDW転移
- 高圧フラックス法による大型BP単結晶の作成
- BP単結晶ウエハーの作成と計画
- 3p-PS-54 転位モデルによる,ピン止めされた電荷密度波のダイナミクスの研究
- 2p-KH-10 陽電子角相関法を用いた(TaSe_4)_2Iの研究
- 2p-KH-6 NbSe_3TaS_3等のCDW転移の一軸応力効果
- 13p-PS-12 2H-NbSe_2,2H-TaSe_2,1T-TaS_2中での陽電子消滅
- 27p-M-9 遷移金属カルコガナイドNbSe_2中での陽電子消滅 II
- 27p-M-2 1T-TaS_2の弾性異常
- 高圧フラックス法によるBP単結晶の作成 (〔電気化学協会〕創立50周年記念特集号) -- (コミュニケ-ション)
- 2a-D-5 PbTeの表面電子構造
- 3a-B-12 遷移金属カルコゲナイドNbSe_2中での陽電子消滅
- 3a-B-1 1T-TaS_2, NbSe_3の弾性異常
- 2p-B-8 C^+ビームで作製した非晶質炭素膜のELSによる解析
- 30p-B-3 HfS_3のXPS
- 高圧フラックス法によるBP単結晶の作成
- 2a-A-1 Nb_3Ge,Nb_3Sn表面酸化の光電子分光
- 2a-F-14 遷移金属カルコゲナイドの状態密度 : ドップラー測定
- 2a-F-15 遷移金属カルコゲナイドのフェルミ面の異方性(角相関測定)
- 2a-F-8 陽電子消滅法による1T-TaS_2のCDW転移(II)
- 4a-NK-8 遷移金属カルコゲナイドの陽電子寿命測定
- 2p-W-25 遷移金属カルコゲナイドの電子構造
- 3a-A-2 遷移金属カルコゲナイド結晶の成長II
- 2p-NJ-2 電界イオン顕微鏡によるMX_3の研究
- 極薄膜系におけるエキシトン超伝導(資料)
- 2a-NL-12 遷移金属カルコゲナイドの低温ESCA
- 3a-A-1 遷移金属カルコゲナイドの結晶成長(I)
- オプトエレクトロニクス用材料--半導体を中心に(新素材開発のフロンティア)
- 超伝導薄膜の作成と応用
- 薄膜--その作成と応用
- 分子線エピタクシ-の真空技術 (最近の真空技術)
- 総論 (半導体ビ-ムプロセス技術)
- 新しいエピタキシャル成長法 (化合物半導体の最近の進歩)
- 3a-N-8 低温におけるn-Geの二段階抵抗減少
- 1a-TC-11 n形Geの低温における光電界効果
- ゲルマン(GeH4)を用いた化成スパッタリングによるA15Nb3Ge膜の作製
- 発光・発色現象の原理および発光・発色材料の種類とその応用 (発光・発色材料の種類とその応用)
- 太陽熱発電のための選択吸収面・透過膜の研究開発について (太陽光選択膜特集)
- 化成蒸着によるSiC膜のエピタキシャル成長
- TiB2--室温超伝導体か?
- 太陽熱エネルギ-を捉える (太陽エネルギ---その利用と化学)
- 太陽光選択膜 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽エネルギ-)
- オプト・エレクトロニクス (フュ-チャ-・エレクトロニクス)