超薄膜領域におけるパルスレーザー堆積法で作製したガリウム添加酸化亜鉛透明導電膜
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概要
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Ultra-thin Ga2O3 doped zinc oxide transparent conduction films was deposited on glass substrates using pulsed laser deposition method by ArF excimer laser (λ=193 nm) at the substrate temperature from 180 to 260 °C. The film thickness was changed from 40 to 110 nm-thick. The target containing 3 and 5 wt.% Ga2O3 were employed. As a result, resistivity of 2.69×10−4 Ω·cm was obtained for the film with 40 nm-thick fabricated using the target containing 5 wt.% Ga2O3 at substrate temperature of 260°C.
- 2010-03-20
著者
-
青木 孝憲
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
-
奥田 昌宏
奥田技術事務所
-
鈴木 晶雄
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
松下 辰彦
大阪産業大学工学部電気電子工学科
-
兼田 真司
大阪産業電子情報通信工学科
-
青木 孝憲
大阪産業電子情報通信工学科
-
松下 辰彦
大阪産業電子情報通信工学科
-
鈴木 晶雄
大阪産業電子情報通信工学科
-
秋月 真
大阪産業大学工学部電子情報通信工学科
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