Ga<SUB><I>x</I></SUB>Se<SUB>1-<I>x</I></SUB>と薄膜光メモリにおける結晶-非晶転移機構
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概要
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Reversible structural change has been studied in a thin film system of parylene/Ga<SUB>x</SUB>Se<SUB>1-x</SUB>/parylene structure in order to find a range of conditions for the crystallization, a crytical initialization for as-deposited film to become erasable optical memories. The influence of the illumination by a xenon lamp (photocrystallization) and the heat treatment (thermal crystallization) were analyzed mainly for the composition x = 0.05, using X-ray diffraction and XMA. Finely crystallized area with retaining an adequate surface smoothness, assigned as A-region, developed radially to form a circular crystals when treated at 210°C for 3 min. under the simultaneous illumination of 100 mW/cm<SUP>2</SUP>. Lower temperatures and more intense illumination levels were not suitable because of the formation of coarse grains with sharp grain boundaries, B-region. Repeated write/erase was possible for the sandwich structure, using a focused (2μφ) He-Ne laser with power levels of 3.75 mW for 2 ms for vitrification (transparent) and of 2.1 mW for 8000 ms for crystallization (absorbing), respectively. The A-region was found to be connected by scratching Ga<SUB>x</SUB>Se<SUB>1-x</SUB> film with a sharp needle followed by a treatment for the A-type crystallization, which possibly enables us to provide a recording track on the surface, with better S/N ratios. The local stress caused by the scratch may be responsible for the nucleation of connected A-type crystals. It was also found that the film composition changed to become Se-rich on the scratch and deficient on both sides of the scratch.
- 日本真空協会の論文
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- サマリー・アブストラクト
- パルスレーザー堆積法で作製した酸化亜鉛・酸化ガリウム系光記録膜
- β-FeSi_2薄膜のNd:YAGレーザーによるアニーリング効果
- パルスレーザー堆積法により作製した耐熱特性を有する酸化亜鉛上のアンチモンドープ酸化スズ積層型透明導電膜の電気的・光学的特性
- (3) 透明導電膜
- PLD法により作成したZnO系光記録膜