Co-sputter法によるAl及びB添加a-SiC:H薄膜の電気的特性
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概要
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Groups III impurity (aluminum or boron) has been introduced into a-SiC:H by the cosputtering method. The dependence of the optical, electrical and opto-electronic properties on the imurity content has been investigated.<BR>In the range of the aluminum content <I>z</I> up to about 10<SUP>-2</SUP>, the photoconductive nature is maintained and the activation energy of dark conductivity changes, without a significant change in the optical band gap. This suggests the doping effect which is confirmed by the thermoelectric power measurements where the type of conduction changes from <I>n</I> to <I>p</I> with increasing <I>z</I>.<BR>From similar results for boron doped films, the doping efficiency is found to be higher for boron than for aluminium.
- 日本真空協会の論文
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