ULSIプロセス用薄膜の分光エリプソメトリ : 遷移金属窒化物バリア層の光学的性質(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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次世代ULSIにとって、low-k材料薄膜やCu配慮からの拡散防止膜は不可欠である。本報告は、遷移金属窒化物拡散防止膜の分光エリプソメトリによる評価に関するものである。反応性スパッタリングで作製されたTiN/SiO_2/Si、TaN_x/SiO_2、VN/Siを調べた。幾つかの異なった基板温度で堆積したTaN_x及びVNの膜厚は充分厚いので、バルク表面とみなして解析した。ローレンツ・ドルーデの誘電率の式で計測スペクトルに最適化させた。VNとTiNの光学的性質は金属的な振舞いをしたが、TaN_xの場合、特に低い基板温度で堆積させた膜の光学的振舞いは、自由電子的振舞いが少なかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-25
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
山口 十六夫
静岡大学
-
山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
MISTRIK Jan
静岡大学電子工学研究所
-
POSTAVA Kamil
静岡大学電子工学研究所
-
ANTOS Roman
静岡大学電子工学研究所
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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