Cu/SiO_2間におけるNb-Nバリヤ層の適用
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概要
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SiO_2上のCu配線における介在層に、Cuの拡散を抑制し、かつ付着力を得ることを目的としてNb-Nを適用した。Nb-N膜を用いることでCuのSiO_2基板方向への拡散を800℃という熱処理においても抑制し、Nb膜を用いたときに問題となったNbの試料表面への拡散も見られなかった。また、Nb-N膜の成膜時にNb-N/SiO_2界面で酸化還元反応が生じており、その反応は熱処理によっても進行せずに安定な界面が得られていた。Nb膜を介在層として適用した結果と比較すると、拡散・反応に対する熱的な安定度は増したものの、Cu(111)面の優位配向についてはNb膜よりも劣る結果となった。このような、拡散・反応挙動の差はNbがNbNという化合物を形成していることによるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-06
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
坂上 正和
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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