格子整合させたランダム配向ZrNバリヤ上でのCu(111)面の高配向成長(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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Si-ULSIにおけるCu配線にとって、エレクトロマイグレーション耐性の向上には、(111)面を高配向成長させることが重要である。本研究では、ランダム配向のZrNバリヤ上でのCu(111)の高配向成長を検討し、ZrN膜を極めて窒素過剰な状態で成膜することにより、Cu(111)との格子整合が得られるようにZrNの格子定数を調整し、Cu(111)がランダム配向のバリヤ上で成膜出来ることを見出した。さらにZrNバリヤはCu(111)を高配向成長させるだけでなく、優れたバリヤ特性をも実現できる有用なバリヤ材料であることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-11-04
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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