Cu/Siコンタクト系におけるTiZrN拡散バリヤの低温作製
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概要
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Cu配線コンタクト系の拡散バリヤとして、近年のCu配線プロセスの低温化を念頭に置き、室温で作製したTiZrN膜のバリヤ特性を検討した。TiZrN膜は複合窒化合金であり、さらに室温で成膜したにもかかわらず比較的低抵抗な材料であり、またそのバリヤ特性は200Åと薄くても700℃で1時間の熱処理に耐え得る高安定なコンタクトを実現できるという優れたバリヤ特性を示すことがわかった。これは、バリヤ自身の構造がを微結晶状態とし、かつ熱的に安定な復合窒化合金とすることで、バリヤの結晶粒界を通して起こるCuの速い拡散を効果的に抑制できるためと考えられる。これらのことから、TiZrNバリヤは将来のCu配線にとって極めて有用なバリヤ材料の一つと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-15
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
斉藤 司
北見工業大学大学電気電子工学科
-
小泉 進八
北見工業大学大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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