Cu/SiO_2間に介在させたV-N膜の界面反応と拡散挙動
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概要
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SiO_2上へのCu配線層の堆積を目的として、界面にV-N介在層を適用した。Vを用いた場合では、SiO_2上に直接Cuを堆積させた際に問題となるCuの基板への拡散とCu/SiO_2間の弱い付着力を改善するということは可能であるが、熱処理を行うことで、Vが試料表面で偏折し、さらに成膜時以上に介在層/SoO_2界面の反応が進行してしまうという問題を有する。一方、V-Nを用いた系では、V単体を用いたときの問題点を改善することができ、850℃の熱処理後でもCu配線層及びSiO_2層を安定に保持できることがわかった。この様な優れた熱的安定性は、材料自体の特性に加えて、V-N膜の構造的・化学的な安定性によるものと考えられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-29
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
坂上 正和
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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