Cu-Zr/n-InPコンタクトにおけるCu-Zr合金組成と界面反応(電子部品・材料, 及び一般)

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概要

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我々は先に、n-InP上のオーミック電極としてCu-Zrアモルファス合金膜を適用し、500℃20秒のRTA処理後に極めて低コンタクト抵抗(約1×10^<-7>Ωcm^2以下(n=4×10^<18>cm^<-3>))のオーミックコンタクトとなることを報告した。そこで本研究では、Cu-Zrアモルファス合金膜のわずかな組成の変化が、この系にどのような影響を及ぼすのか、界面反応と電気的特性との関連性について検討を行った。その結果、先の研究で用いたCu_<60>Zr_<40>から合金組成を10%程度Cu-rich、Zr-richとした合金膜では、その電気的特性はオーミックとはならず、界面での反応形態、特にCuの拡散挙動が異なることが明らかとなり、良好なオーミックコンタクトを得るにはCu-Zr合金相自身の安定性が重要であることが示唆された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-07-25

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