オージェ電子分光分析によるAl/Al_3Ta/TaN/Siコンタクト構造の熱的安定性
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概要
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界面に化学平衡状態を実現したAl, Al_3Ta/TaN/Siコンタクト系の熱的安定性をAES分析によって検討した結果、このコンタクト系はAlの融点近傍である600℃まで安定なコンタクト界面を実現できることがわかった。したがって、化学平衡界面をコンタクト系に実現するという我々の概念は、先のW系バリヤ材料の場合と同様に、Ta系バリヤでも有効であり、その概念がより広い系に有効であることが見いだされた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-12
著者
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