Ta/Si系におけるシリサイド形成初期過程の検討
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概要
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Ta, Si系の界面における固相反応の様子を、X線回折とオージェ電子分光(AES)分析によって検討した。基板温度400℃で(100)Si基板上に堆積させたTa膜(1300Å)の結晶構造は、β-Taであった。この系を550℃〜650℃の温度範囲で熱処理した場合、シリサイド形成の初期過程でTaのSi基板中への拡散が生じ、Ta/Si系ではこれまで観測されていないmetal-rich相であるTa_5Si_3が、最初に形成されることが見出された。熱処理温度を700℃とした場合にはTaSi_2相の形成が始まり、さらに熱処理温度を700℃以上とした時には、Siのout-diffusionによってmetal-rich相からTaSi_2相へとシリサイド相が移行するのが見られた。
- 1994-04-21
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学工学部機能材料工学科
-
中西 太一
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐々木 克孝
北見工業大学
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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