極薄TiHfNバリヤを用いたCu/TiHfN/Siコンタクトの熱的安定性(電子部品・材料, 及び一般)
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概要
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Cu/Siコンタクトにおいて適用し得る極薄バリヤの候補として、低抵抗な材料であるTiNとHfNとを複合化したTiHfN薄膜を作製し、そのバリヤ特性を基礎的に検討した。その結果、TiHfN薄膜は、3元系窒化物バリヤとしては比較的低い抵抗率を示し、かつnmオーダーまで連続膜として極薄化が可能であることがわかった。これは、TiNとHfNが共にNaCl構造を有し、その格子定数も近いことから、これらを組み合わせた場合に擬似的な単一構造をとる傾向にあることがその要因であると思われる。一方、Cu/Si間の拡散バリヤとしたTiHfN膜は、10nm程度まで極薄化した場合にも500℃程度の熱処理に耐え得るコンタクトを実現できることが明らかとなり、極薄バリヤとして基本的には有用な特性を有しているものと推察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-07-25
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
小杉 努
北見工業大学電気電子工学科
-
五十嵐 準一
北見工業大学電気電子工学科
-
五十嵐 準一
北見工業大学電気電子工学科:(現)(株)アルプス技研
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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