ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
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概要
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3次元実装によるSi-ULSIの集積度の向上に必要なsi貫通ビア配線に適用可能な低温での拡散バリヤの新たな成膜手法として,スパッタ法にラジカル反応を応用した新たな手法を提案してきた.本研究では,その手法を用いて基板加熱なしの200℃以下の低温プロセスで,ZrN_x膜を作製し,その特性を評価した.その結果ZrN_x膜は反応性スパッタ法により得たZrN_x膜に遜色ない良好な特性と有効なバリヤ特性が得られることが知られた.
- 2010-07-22
著者
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
佐藤 勝
北見工業大学電気電子工学科
-
早坂 祐一郎
東北大学金属材料研究所
-
青柳 英二
東北大学金属材料研究所
-
武山 眞弓
北見工業大学電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
-
佐藤 勝
北見工業大学
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