武山 真弓 | 北見工業大学工学部

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概要

• 同名の論文著者
• 北見工業大学工学部の論文著者

関連著者

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部

• 武山 真弓

  北見工業大学工学部

• 武山 真弓

  北見工業大学

• 野矢 厚

  北見工業大学

• 武山 真弓

  北見工業大学電気電子工学科

• 野矢 厚

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 武山 真弓

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 佐藤 勝

  北見工業大学電気電子工学科

• 野矢 厚

  北見工業大学電気電子工学科

• 佐藤 勝

  北見工業大学

• 武山 眞弓

  北見工業大学電気電子工学科

• 青柳 英二

  東北大学金属材料研究所

• 佐々木 克孝

  北見工業大学

• 早坂 祐一郎

  東北大学金属材料研究所

• 中村 友二

  富士通研究所

• 佐々木 克孝

  北見工業大学工学部機能材料工学科

• 町田 英明

  気相成長(株)

• 小林 靖志

  富士通研究所

• 中田 義弘

  富士通研究所

• 小林 靖志

  (株)富士通研究所

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 伊藤 俊

  東北大学金属材料研究所

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 村上 佳隆

  北見工業大学工学部電気電子工学科 : (現)東光株式会社

• 御厨 貴信

  北見工業大学 工学部 電気電子工学科

• 関 光

  北見工業大学工学部 電気電子工学科:(現)富士通

• 大立目 晋

  北見工業大学電気電子工学科

• MANIRUZZAMAN Md.

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 須藤 弘

  気相成長(株)

• 松下 渉

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 中台 保夫

  アルバックマテリアル(株)

• 神原 正三

  アルバックマテリアル(株)

• 畠中 正信

  (株)アルバック

• 柳田 賢善

  北見工業大学電気電子工学科

• 水野 源大

  北見工業大学電気電子工学科

• 鈴木 雅英

  小松電子金属株式会社

• 厚地 呂比奈

  北見工業大学工学部電気電子工学科

• 市川 貴朗

  北見工大

• 竹増 健

  北見工大

• 徳田 奨

  北見工業大学

• 市川 貴朗

  北見工業大学工学部 電気電子工学科

• 竹増 健

  北見工業大学工学部 電気電子工学科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 徳田 奨

  北見工業大学工学部技術部

• 佐藤 勝取

  北見工業大学電気電子工学科

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著作論文

• HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• Al-Ti 合金薄膜表面酸化層のキャラクタリゼーション
• C-6-18 TDEAV原料を用いたALD-VN_x膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• ZrB_x薄膜の特性評価とCu多層配線への応用
• 3次元Si貫通ビアに適用可能なバリヤ膜の新規成膜手法の有用性 : 低温作製されたZrN_x膜の特性評価
• ZrNバリヤを用いたCu/層間絶縁膜間の界面制御(薄膜プロセス・材料,一般)
• Cu/ZrN/SiOC/Si構造における極薄ZrNバリヤの特性(電子部品・材料, 及び一般)
• SiO_2上の薄いNb[110]バリヤ上に形成されたCu[111]薄膜(電子部品・材料, 及び一般)
• TDEAV原料を用いたVN_x膜のALD成膜
• ラジカル反応を応用したZrN_x膜の低温作製
• Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面反応の検討
• ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/SiO_2間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• Cu配線のためのラジカル反応を用いた極薄TiN_xバリヤの新規作製方法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
• CS-5-4 Si-ULSIにおけるCu配線に適用可能な極薄ナノバリヤの動向とその界面制御(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
• 45nmノード対応の極薄VNバリヤを用いたCu/VN/SiOC/Si構造のナノ界面制御(電子部品・材料, 及び一般)
• CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
• Al-W 合金膜の Cu 表面保護膜としての酸化特性
• C-6-7 Cu配線のメタルキャップ層としてのZrB_x膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 組成を変化させたZrB_x薄膜の特性評価
• NiSi相の形成とCuコンタクトへの適用(薄膜プロセス・材料,一般)
• オージェ電子分光分析による合金膜のシリサイド形成初期過程の検討
• C-6-3 TSV配線における絶縁層としてのSiN_x膜の低温作製(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• Cu/metal/SiO_2/Si構造における界面での拡散・反応挙動(I) : Va遷移金属の拡散挙動(薄膜プロセス・材料,一般)
• Ni/Si系におけるモノシリサイドとジシリサイドのマルチフェーズ形成(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-4 シリコン貫通ビアに適用可能なバリヤ材料のあり方(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 Wとの合金化によるbcc Ta薄膜の相安定化とAl(111)薄膜組織の成長(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• ナノ結晶組織を有する薄いHfN_x膜のCuに対する拡散バリヤ特性
• C-6-5 Tsvに適用可能な低温SiN。膜のキャラクタリゼーション(C-6.電子部品・材料,一般セッション)

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