CPM2000-81 Al-Mo/n-InPコンタクトにおける電気的特性と界面反応との関連
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概要
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n-lnP上のオーミツク電極としてAl-Mo合金膜を適用し、合金組成を変化させた場合の電気的特性およびコンタクト界面に生起する拡散・反応の挙動を検討した。その結果、AlMo/Inpコンタクトの電気的特性は、合金組成に依存して整流性からオーム性に変化し、極めてAl-richな領域の組成のAl-Mo合金膜を用いることにより、成膜時からオーミツク特性が得られ、かつ500℃RTA処理後においても熱処理前と同様の安定な電気的特性が得られることが明らかとなった。このような電気的特性の変化は、界面での反応層がMo-P層からAl-Mo-P層へと変化することと良く対応していることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-17
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
長谷川 英機
北海道大学
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
厚地 呂比奈
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
武山 真弓
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学工学部
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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