GaN系MIS構造の高温でのC-V評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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GaN MIS界面の特性を詳細に評価するために、高温およびUV照射下での容量-電圧(CV)測定を行った。SiO_2/GaN界面では、CV曲線のスロープの減少、空乏領域での容量の増加、ヒステリシスの出現などが観測され、室温暗時測定では評価できないmidgap近傍の界面準位の応答を調べることができた。次に、界面特性の向上を目的として、薄いAlO_x膜を界面制御層として利用する構造を考案した。薄いAlO_x膜はAl膜の分子線堆積とUHVアニールにより形成した。作製したSiO_2/AlO_x/GaN構造は理想CV曲線に非常に近い特性を与え、薄いAlO_x層が良好な界面を得るための制御層になり得る可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-12
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
ミツェーク マルチン
Institute of Phisics, Silesian University of Technology
-
加藤 寛樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
ミツェーク マルチン
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
ミツェーク マルチン
Institute Of Phisics Silesian University Of Technology
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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