量子井戸端への直接ショットキー接合の形成とその細線トランジスタへの応用

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概要

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• 新しい電気化学プロセスを用いて,量子井戸(QW)端への選択的ショットキー接合を形成し,その空乏特性を詳細に評価した.空乏層幅は印加電圧に比例して変化し,このふるまいは理論予測と一致した.このSchottky, QW接合をゲートとして利用した細線トランジスタを試作した.トランジスタは電界効果特性を有し,良好なゲート制御を示した.電流電圧特性の理論解析より,チャネルの実効幅はSchottky/QW接合の空乏特性に支配されていることが明らかとなった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-10-11

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 呉 南健

  北海道大学工学研究科

• 岡田 浩

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 呉 南健

  北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 地主 啓一郎

  北海道大学工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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