超薄AIO_x膜およびECR-CVD SiN_x膜を用いたAlGaN/GaNヘテロ構造表面の制御

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概要

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• AlGaN/GaNヘテロ構造のAlGaN表面の制御を目的として, ECR-CVD法により形成したSiN_x膜および, 金属Al蒸着と真空アニール処理によって形成した超薄AlO_x膜を用いて, AlGaN表面不活性化を試み, XPS法・I-V法・C-V法により評価した。SiN_x膜を電極間保護膜と用いると, 飽和ドレイン値の増加, 逆方向リーク電流が低減され, 表面不活性化に有効であることがわかった。また, SiN_x膜をゲート絶縁膜としたMISゲート構造において, 2DEGが制御可能であることが示された。また, 超薄AlO_x膜をゲート金属とAlGaN表面に挿入する新しい表面制御法を試み, 逆方向リーク電流が抑えられ, ゲート特性が改善された。

• 2001-05-30

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 大友 晋哉

  北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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