GaN系電子デバイスにおける表面の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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GaNおよびAlGaN表面に対して、高温熱処理処理・プラズマ処理・絶縁膜堆積プロセスを施し、化学的特性と電気的特性との相関を詳細に評価し、GaNおよびAlGaN表面で生じる窒素空乏のメカニズムを検討した。GaNおよびAIGilN表面の窒素空乏に起因した窒素空孔型表面欠陥準位(Ec-0.3〜0.4 eV)とエネルギー的に連続分布を持つ表面準位がGaNおよびAlGaN表面の電子状態を支配し、その荷電状態の変化が電流コラプスの主たる要因となるモデルを提案した。表面欠陥準位の生成を抑制し、AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの動作安定性を向上させる目的でヽ窒素プラズマ処理とAl_20_3膜形成による表面不活性化構造を提案し、電流コラプスの抑制されたデバイス特性を実現した。
- 2004-01-12
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
長谷川 英機
北海道大学
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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