AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)

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概要

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• AlGaN/GaNヘテロ構造上のショットキー接合のリーク電流を抑制する目的で、超薄Al膜を利用した表面制御プロセスを開発した。この制御プロセスによって、ショットキー接合のリーク電流は減少し、またI-V特性には明確な温度依存性が出現した。Pd/AlGaN/GaNを作製し、水素ガス検知特性を評価した。C-V曲線は導入した水素ガス分圧に従って系統的にシフトし、そのシフト量は最大で1000mVに達した。オープンゲート型AlGaN/GaNHEMTの溶液中における特性を調べた。伝達特性が溶液中のpH値に従って平行移動し、57.5mV/pHの感度を得た。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-06-26

著者

• 木村 健

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 古川 拓也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 木村 健

  北海道大学工学研究科

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 古川 拓也

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 木村 健

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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