金子 昌充 | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金子 昌充

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 木村 健

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 古川 拓也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 木村 健

  北海道大学工学研究科

• 古川 拓也

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

• 木村 健

  北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
• AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
• AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• AlGaNショットキー接合の漏れ電流のふるまい(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
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