Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
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概要
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AlGaNショットキー接合のリーク電流特性を詳細に調べ、Thin Surface Barrier(TSB)モデルに基づく厳密なコンピュータシミュレーションを用いて実験結果を理論的に解析した。その結果、AIGaNショットキー接合のリーク電流は、GaNショットキー接合のリーク電流以上に逆バイアス依存性が強く、温度依存性がほとんどないことが分かった。TSBモデルに基づく理論解析の結果、これらの特徴は、AlGaN表面近傍に存在すると考えられる浅い酸素不純物ドナーに関連することが示された。そこで我々は、薄いAl膜の堆積とアニールを組み合わせた表面制御プロセスにより、酸素不純物ドナーの低減を試みた。表面制御プロセスをAlGaNショットキー接合に適用することで、4〜5桁の逆方向リーク電流の低減が実現された。さらに、リーク電流の温度依存性が回復した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-05-11
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
金子 昌充
北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター
-
金子 昌充
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
小谷 淳二
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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