インジウムリン系材料への新しいゲート技術

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概要

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マルチメディア時代を迎え、将来種々の重要な展開が期待されるミリ波帯のシステムのキーデバイスとして、インジウムリン系材料を用いた電界効果トランジスタが注目されている。しかし、ガリウムヒソ系と比較して、インジウムリン系材料は、材料・プ□セス技術が未熟であり、克服すべき問題点も多い。その1つがショットキーゲート技術である。一般にインジウムリン系材料では、n型に対するショットキー障壁高さ(SBH)が、ガリウムヒソ系よりも低く、MESFETが作れない、HEMTのリーク電流が大きく、rf振幅が小さく直流消費電力が大きいなどの問題が生じる。ここでは、この問題を解決する方策として、1)「in-situ電気化学プロセスを用い、ショットキーゲートのSBHを増大させる」、2)「シリコン超薄膜を用いたパッシベーションプ□セスを用い、絶縁ゲート構造を実現する」という、私共の研究センター独自のアプローチを報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-09-18

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