鈴木 敏 | 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
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長谷川 英機
北海道大学
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鈴木 敏
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北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学部電子情報工学専攻
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北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
著作論文
- Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAs MISFETの製作とその電気的特性の評価
- インジウムリン系材料への新しいゲート技術
- Si 超薄膜界面制御層を用いた絶縁ゲート InGaAs HEMT の作製と評価