Si 超薄膜界面制御層を用いた絶縁ゲート InGaAs HEMT の作製と評価
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概要
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Si超薄膜界面制御技術とフッ酸による表面処理を組み合わせたプロセスをHEMT構造に適用し、ゲートにリセス構造をもつ絶縁ゲートInGaAs HEMTを作製し、その電気的特性の評価を行った。作製した絶縁ゲートHEMTは、良好なゲート制御性を示し、その最大実効移動度は、2010cm^2/Vsであった。この良好なゲートバイアス制御性は、絶縁ゲートHEMT構造を用いて作製した容量素子が、良好なC-V特性を示すことと一致した。また、XPSによる表面観察の結果、一度大気にさらしたInAlAs表面でも、Si超薄膜界面制御技術とフッ酸による表面処理を組み合わせたプロセスを適用することにより、酸化物のない良好なMIS界面が得られることが明らかなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学
-
鈴木 敏
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
-
鈴木 敏
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センターおよび工学部電子情報工学専攻
-
堂前 奏宏
北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター
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