Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用

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概要

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• Si界面制御層を用い、GaAsショットキー障壁高さを制御することを試みた。SiICLの膜厚やドーピングを適切に行うことにより300meV以上の幅で制御できることが示された。またこの技術を量子構造へ応用する目的で、障壁高さを空間的に制御する方法について検討した。SiICLと収束イオンビーム(FIB)を用い、局所的にSiICLとGaAs界面に界面準位を誘起する事により障壁高さを変化させることを試み、障壁高さがおよそ290meVの幅で変化する結果が得られた。これによりnmスケールでショットキー障壁高さを制御できる見通しが得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-10-11

著者

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 宇野 正一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 宇野 正一

  北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学

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