宇野 正一 | (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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概要
関連著者
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宇野 正一
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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大島 隆文
日立・マイクロデバイス
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大島 隆文
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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宇野 正一
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古澤 健志
ルネサステクノロジー
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(株)日立製作所デバイス開発センタ
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日立超LSIシステムズ(株)
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小林 伸好
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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(株)日立製作所中央研究所
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日野出 憲司
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Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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橋詰 保
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葛西 誠也
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(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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(株)日立製作所 機械研究所
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芦原 洋司
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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笹島 勝博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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野口 純司
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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小西 信博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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大田黒 彰
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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久保 真紀
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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津金 賢
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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呉 南健
北海道大学 工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター
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岩崎 富生
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野口 純司
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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野口 純司
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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野口 純司
(株)日立製作所
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小西 信博
(株)日立製作所
著作論文
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
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- 低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作
- Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用