小西 信博 | (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

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• 小西 信博

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• 小西 信博

  (株)日立製作所

• 山田 洋平

  (株)日立製作所

• 山田 洋平

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• 黒河 周平

  九州大学大学院工学研究院

• 大島 隆文

  日立・マイクロデバイス

• 大島 隆文

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 土肥 俊郎

  九州大学大学院工学研究院

• 小西 信博

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 丸山 裕之

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 黒河 周平

  九大

• 野口 純司

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 黒河 周平

  九州大学 大学院工学研究院

• 土肥 俊郎

  九州大学 大学院工学研究院

• 菅谷 貴浩

  (株)日立製作所

• 土肥 俊郎

  九大 大学院工学研究院

• 野口 純司

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

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  (株)日立製作所デバイス開発センタ

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  九州大学大学院

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  九州大学大学院

• 大見 忠弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 大見 忠弘

  東北大学

• 日野出 憲治

  日立製作所 中央研究所

• 日野出 憲治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所機械研究所

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• 山口 日出

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• 青木 英雄

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• 斎藤 達之

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• 石川 憲輔

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 前川 厚志

  日立超LSIシステムズ(株)

• 宇野 正一

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 福田 琢也

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 大島 隆文

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 青木 英雄

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 丸山 裕之

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• 宮崎 博史

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• 深田 晋一

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• 湯之上 隆

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 堀田 尚二

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 日野出 憲司

  日立製作所. 中央研究所

• 野尻 一男

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• 徳永 尚文

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• 小林 伸好

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• 齋藤 達之

  (株)日立製作所

• 福田 琢也

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

• 大見 忠弘

  東北大学工学部

• 柴田 直

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• 大橋 直史

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 山田 洋平

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 小西 信博

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 大島 隆文

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• 山口 日出

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• 佐藤 明

  株式会社日立超LSIシステムズVLSI開発本部プロセス技術開発部

• 石川 憲輔

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• 深田 晋一

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• 岩崎 富生

  (株)日立製作所 機械研究所

• 芦原 洋司

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• 笹島 勝博

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• 大田黒 彰

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• 久保 真紀

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• 津金 賢

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• 岩崎 富生

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• 柴田 直

  東北大学 工学部 電子工学科

• 徳永 尚文

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• 河合 泰明

  東北大学工学部電子工学科

• 渡辺 仁三

  東北大学工学部電子工学科

• 小西 信博

  東北大学工学部電子工学科

• 神保 智子

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 宮崎 博史

  (株)日立製作所 半導体グループ

• 宇野 正一

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• 大橋 直史

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ

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著作論文

• 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
• 砥粒フリー研磨剤を用いたCu-CMP技術( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• 低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 低エネルギ・イオンアシスト酸化による超低温ゲート酸化膜形成
• 研磨砥粒を含まないスラリを用いたＣｕＣＭＰ技術の開発 : −不均一発泡ポリウレタンパッドを用いたＣｕ残渣の低減−
• 酸化膜CMPにおけるマイクロスクラッチ低減の検討 : CMPプロセスにおけるスクラッチの発生要因調査
• 硬質パッドを用いた高平坦化CMP技術の開発 : CMPプロセスにおけるウエーハ面内研磨均一性の改善
• Cu-CMPプロセスにおける欠陥がTDDB信頼度に与える影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 高性能減圧プロセス用真空排気システムの最適設計
• ＣｕＣＭＰプロセスに起因した銅残渣発生の研究 : −配線間の銅残渣の低減−

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