柴田 直 | 東北大学工学部
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概要
関連著者
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柴田 直
東北大学工学部
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大見 忠弘
東北大学工学部
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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新田 雄久
株式会社UCT開発研究所
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新田 雄久
日立製作所デバイス開発センタ
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東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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竹脇 利至
東北大学工学部電子工学科
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東北大学工学部電子工学科
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東北大学工学部電子工学科
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今井 誠
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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ルネサステクノロジ
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柴田 直
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キャノン株式会社半導体開発センター
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小西 信博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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余 寧梅
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海原 竜
東北大学大学院電子工学専攻
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海原 竜
東北大学工学部電子工学科
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玉井 幸夫
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東北大学工学部電子工学科
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権 浩〓
東北大学工学部電子工学科
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東北大学工学部
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冨田 和朗
東北大学工学部
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新田 雄久
東北大学工学部
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冨田 和朗
東北大学電気通信研究所
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右田 智裕
東北大学電気通信研究所
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星 司
東北大学工学部電子工学科
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中村 佳夫
キヤノン
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宮脇 守
キヤノン
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玉井 幸夫
シャープ株式会社 技術本部
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竹脇 利至
東北大学電気通信研究所超微細電子回路実験施設
著作論文
- 1991 IEEE International Electron Devices Meeting
- 3-3 ニューロンMOS重心検出回路
- 四端子デバイスエレクトロニクスが可能にする"しなやかな"情報処理電子システム
- 基板不純物濃度低減による450℃アニールイオン注入接合の特性改善
- 低消費電力ニューロンMOS論理ゲート
- 450℃アニールにより低逆バイアス電流n^+p接合の形成
- 450℃超低温接合形成のためのメタル汚染低減イオン注入技術
- クロック制御による高信頼性ニューロンMOS論理回路
- 自動しきい値調整機能を用いたクロック制御ニューロンMOS論理回路
- 3)21世紀のエレクトロニクスを切り拓く新しいデバイス・プロセス技術(情報入力研究会)
- 21世紀のエレクトロニクスを切り拓く新しいデバイスプロセスの開発 : 撮像デバイス技術および関連技術分野 : 情報入力
- サブクォーターミクロンULSI用銅配線技術
- 3-2 擬似2次元画像処理を用いたニューロンMOS動きベクトル検出回路
- ニューロンMOSデータソーティング回路
- ニューロンMOSウィナー・テーク・オール回路とその連想メモリへの応用
- 高性能減圧プロセス用真空排気システムの最適設計
- パルス電流ストレスによるジャイアントグレイン銅配線の信頼性評価
- 大電流ストレスによるジャイアント・グレインCu配線のエレクトロマイグレーション耐性評価
- 大容量負荷高速駆動用CMOSソートフォロワ・バッファ回路の解析