450℃超低温接合形成のためのメタル汚染低減イオン注入技術
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概要
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超高真空、超高純度ガス供給系を有するイオン注入装置を用いて、イオン注入時に、高エネルギーイオンビームのスパッタにより装置内から発生する金属不純物が、pn接合逆方向リーク電流に与える影響を明らかにした。また、この金属不純物は、従来考えられていたビームライン側からのみならず、シリコンウェハ後方からも発生していることをはじめて実験的に明らかにし、これらを抑えることにより450℃という超低温で、低リーク電流の60nmの極浅接合形成を可能にした。この技術を応用して製作した自己整合アルミニウムゲートMOSFETの動作性能に関し評価した結果についても報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-23
著者
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
柴田 直
東北大学工学部
-
冨田 和朗
ルネサステクノロジ
-
中田 明良
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
新田 雄久
株式会社UCT開発研究所
-
中田 明良
東北大学工学部電子工学科
-
冨田 和朗
東北大学電気通信研究所
-
右田 智裕
東北大学電気通信研究所
-
新田 雄久
日立製作所デバイス開発センタ
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