タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET作製技術におけるプロセスガイドライン
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概要
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タンタルゲートを用いた高信頼性完全空乏化SOI MOSFET作製技術を提案している。この技術を使うことにより、従来問題となっていたサブクォーターミクロン領域でのCMOSプロセス工程数を低減することが可能となる。プロセス温度とSOI層膜厚を最適化することにより、そのパフォーマンスと信頼性を保証するデザイン・ガイドラインを報告する。
- 1997-03-14
著者
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
森田 瑞穗
東北大学工学部電子工学科:東北大学電気通信研究所付属超高速密度・高速知能システム実験施設
-
大見 忠弘
東北大学工学部
-
牛木 健雄
東北大学工学部電子工学科
-
余 謨群
東北大学工学部電子工学科
-
牛木 健雄
東北大学大学院工学研究科 電子工学専攻 : 東北大学電気通信研究所付属超高密度・高速知能システム実験施設
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