角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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本研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励起角度分解光電子分光法による測定および解析を行った。検出深さが同じになるように放射光を調整しSi 2p、N 1s、O 1sからの光電子スペクトルの測定を行った。本研究で得られた主な結果を以下に示す。1)形成したシリコン窒化膜は1原子層のSi-(OH)_3Nで表面を覆われており、その面密度は、Si(100)やSi(110)に比べSi(111)では15%小さい。2)すべての面方位上のSi_3N_4/Si界面は組成遷移が急峻である。これは、3つのN原子と1つのSi原子が結合するSi原子が検出されなかった結果に基づいている。3)Si_3N_4/Si(110)界面におけるSi-H結合の数はSi_3N_4/Si(100)やSi_3N_4/Si(111)のそれに比べ38〜53%大きく、界面構造はシリコン基板の面方位に依存することを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-02
著者
-
寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
大見 忠弘
東北大学
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター
-
池永 英司
Crest・jst
-
池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
-
樋口 正顕
株式会社東芝
-
諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
荒谷 崇
信越化学工業株式会社
-
牛尾 二郎
株式会社日立製作所
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
-
Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
池永 英司
Jasri/spring-8
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
-
寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
-
諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
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