樋口 正顕 | 株式会社東芝
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概要
関連著者
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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樋口 正顕
株式会社東芝
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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池永 英司
高輝度光科学研究センター
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
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樋口 正顕
東北大学工学研究科
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品川 誠治
武蔵工業大学工学部
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樋口 正顕
東北大学大学院工学研究科
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品川 盛治
武蔵工業大学
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須川 成利
東北大学大学院工学研究科
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池永 英司
Jasri/spring-8
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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小村 政則
東北大学工学研究科
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服部 健雄
東北大学未来情報産業共同研究センター
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諏訪 智之
東北大学未来科学技術共同研究センター
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荒谷 崇
信越化学工業株式会社
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平山 昌樹
東北大学未来科学技術共同研究センター
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小村 政則
東北大学大学院工学研究科
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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Ohmi T
Tohoku Univ. Sendai‐shi Jpn
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服部 健雄
武蔵工業大学
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池永 英司
Crest・jst
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諏訪 智之
東北大学大学院工学研究科
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大嶋 一郎
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科
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小林 啓介
物材機構
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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荒谷 崇
東北大学大学院工学研究科
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河瀬 和雅
三菱電機(株)先端総研
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ生産技術本部ウエハプロセス技術統括部プロセス開発部
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程 イ涛
東北大学大学院工学研究科
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須川 成人
東北大学大学院工学研究科
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井上 真雄
(株)ルネサステクノロジ
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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池永 英司
高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ
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大見 忠弘
東北大学
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池永 英司
JASRI SPring-8
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小林 啓介
高輝度光科学研究センター
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牛尾 二郎
株式会社日立製作所
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荒谷 崇
東北大学工学研究科技術社会システム専攻
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濱田 龍文
東北大学大学院工学研究科
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服部 武雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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Kobayashi Keisuke
JASRI SPring8
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樋口 正嗣
東北大学大学院工学研究科
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大嶋 一郎
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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程? 涛
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター:東北大学wpiリサーチセンター
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Ohmi Tadahiro
Department Of Electronic Engineering Tohoku University
-
Ohmi Tadahiro
The New Industry Creation Hatchery Center (niche) Tohoku University
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程 ?涛
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須川 成利
JASRI SPring8
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諏訪 智之
東北大学未来科学共同センター
著作論文
- NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波励起プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の形成
- プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜
- ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性