服部 健雄 | 武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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概要
関連著者
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
武蔵工業大学
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
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高橋 健介
武蔵工大工
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高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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品川 盛治
武蔵工業大学
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池永 英司
高輝度光科学研究センター
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吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
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寺本 章伸
東北大学未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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須川 成利
東北大学 大学院 工学研究科
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須川 成利
東北大学工学研究科技術社会システム
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池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
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樋口 正顕
東北大学工学研究科
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品川 誠治
武蔵工業大学工学部
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樋口 正顕
株式会社東芝
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学
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池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
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寺本 章伸
東北大学未来科学共同センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学共同センター
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高田 恭孝
理化学研究所量子秩序研究チーム
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小林 啓介
高輝度光科学研究センター
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高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
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高田 恭孝
理化学研究所放射光物性研究室-spring-8
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セマン ムスタファ
武蔵工業大学工学部
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辛 埴
理化学研究所・播磨研究所
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廣瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
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品川 盛治
武蔵工業大学工学部
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岡本 英介
武蔵工業大学工学部
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東 和文
(株)液晶先端技術開発センター
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白石 貴義
武蔵工業大学工学部
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廣瀬 和之
宇宙科学研究所
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池永 英司
Jasri/spring-8
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高橋 敏男
東京大学物性研究所
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中田 行彦
株式会社液晶先端技術開発センター
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依田 芳卓
Jasri
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依田 芳卓
高輝度光科学研究センター
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三木 一司
物材機構
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隅谷 和嗣
東大物性研
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隅谷 和嗣
東京大学物性研究所
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三木 一司
電総研
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セマン ムスタファ
武蔵工業大学 工学部
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大橋 正俊
武蔵工業大学 工学部
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矢代 航
東大新領域
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加勢 正隆
富士通株式会社
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堀 充明
富士通
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堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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加瀬 正隆
富士通
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廣瀬 和之
宇宙科学研
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矢代 航
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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生田 哲也
富士通株式会社lsi事業本部
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塩路 昌利
武蔵工業大学工学部
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中田 行彦
(株)液晶先端技術開発センター
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SEMAN Mustafa
武蔵工業大学工学部
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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山脇 師之
総合研究大学院大学
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依田 芳卓
高輝度光科学研究
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
京大
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木村 健二
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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鳥居 和功
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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大見 俊一郎
東京工業大学
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小林 啓介
物材機構
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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鳥居 粛
武蔵工業大学
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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矢代 航
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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三木 一司
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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矢代 航
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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三木 一司
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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Kobayashi Keisuke
JASRI SPring8
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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川原 孝昭
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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川原 孝昭
(株)ルネサステクノロジ
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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海老原 大樹
武蔵工業大学
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加瀬 正隆
富士通株式会社LSI事業本部
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相場 武
武蔵工業大学
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片山 正健
信越半導体(株)半導体磯部研究所
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鈴木 伸子
総合研究大学院大学
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川原 孝昭
半導体先端テクノロジーズ
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廣瀬 和之
JAXS宇宙科学研究本部
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川尻 智司
武蔵工業大学工学研究科
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山内 賢
武蔵工業大学
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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鈴木 治彦
武蔵工業大学工学部
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清水 雄一
武蔵工業大学
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楯 直人
信越半導体
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柏木 郁未
東京工業大学総合理工学研究科
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大島 千鶴
東京工業大学フロンティア研究所
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城森 慎司
京都大学大学院工学研究科
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藤村 正明
武蔵工業大学 工学部
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八木 朋之
武蔵工業大学 工学部
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渡辺 邦広
武蔵工業大学
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安武 正敏
セイコー電子工業
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長谷川 覚
武蔵工業大学工学部
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小林 大輔
宇宙科学研究本部
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鹿瀬 和之
総合研究大学院大学
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東 和文
液晶先端技術開発センター
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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鹿瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
-
BIN SEMAN
武蔵工業大学工学部
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
関川 宏昭
武蔵工業大学
-
大石 和明
武蔵工業大学
-
片山 正健
信越半導体
-
岩井 洋
東京工業大学
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安田 巌
武蔵工業大学
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須川 成利
JASRI SPring8
-
服部 健雄
武蔵工業大学・工学部
著作論文
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性,AWAD2006)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性
- 極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 水素終端Si(100)-2×1表面の初期酸化過程とその界面構造
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性
- 極薄シリコン酸化膜表面のナノ領域構造評価
- 原子間力顕微鏡を用いたケミカルオキサイドの局所的物性評価
- ナノエレクトロニクス時代を迎えて
- 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
- XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- high-k 膜のXPSによる評価
- ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- SiO_2/Si(111)界面における価電子に対するエネルギー障壁
- プレオキサイドを介した水素終端Si(111)面の初期酸化過程
- オンチップパルスジェネレータを用いた高周波パルス電流によるEM評価
- VR形リニアアクチュエータの移動子スロットへのHTc超電導体の適用
- シリコンの酸化機構解明の手がかりを求めて
- 極薄シリコン酸化膜に関する研究の現状と課題
- 技術にぬくもりを
- SiO_2/Si界面形成の原子スケ-ル制御
- シリコンの自然酸化膜 (LSI製造における表面制御技術)
- 深さ方向分析とXPS (表面の評価技術) -- (表面,界面の組成分析)