片山 正健 | 信越半導体
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概要
関連著者
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片山 正健
信越半導体(株)半導体磯部研究所
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片山 正健
信越半導体
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羽深 等
横浜国立大学大学院工学研究院
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羽深 等
信越半導体(株)半導体磯部研究所
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羽深 等
横浜国立大学大学院
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羽深 等
信越半導体(株)
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奥山 喜久夫
広島大学工学研究科
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島田 学
広島大学工学部 第三類化学
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島田 学
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座
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島田 学
広島大学工学部
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奥山 喜久夫
広島大学工
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大塚 徹
信越半導体(株)半導体磯部研究所
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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相場 武
武蔵工業大学
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山内 賢
武蔵工業大学
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清水 雄一
武蔵工業大学
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楯 直人
信越半導体
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Okuyama K
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
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服部 健雄
武蔵工業大学
著作論文
- 常圧水素中におけるSi基板のエピ成長前処理
- 水素終端Si(100)-2×1表面の初期酸化過程とその界面構造
- シリコンエピタキシャル成長におけるドーパントガスの輸送現象解析
- シリコンエピタキシャル成長の三次元シミュレーション
- 回転基板上へのシリコンエピタキシャル成長の三次元数値解析
- 輸送現象と表面反応を考慮した SiHCl_3-H_2 系 Si エピタキシャル成長の三次元数値解析