羽深 等 | 信越半導体(株)

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概要

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関連著者

• 羽深 等

  信越半導体(株)

• 羽深 等

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 羽深 等

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 羽深 等

  横浜国立大学大学院

• 島田 学

  広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座

• 奥山 喜久夫

  広島大学工学研究科

• 島田 学

  広島大学工学部 第三類化学

• 島田 学

  広島大学工学部

• 奥山 喜久夫

  広島大学工

• 片山 正健

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 片山 正健

  信越半導体

• Okuyama K

  Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn

• 大塚 徹

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 曲 偉蜂

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 秋山 昌次

  信越半導体(株)半導体磯部研究所

• 島田 学

  広島大学 工学部

• 奥山 喜久夫

  広島大学 工学部

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著作論文

• 23aB1 シリコンエピタキシャル成長におけるホウ素取り込みの数値計算モデル(エピタキシャル成長I)
• SiHCl_3-H_2系シリコン気相エピタキシャル成長の化学種観察 : 気相成長III
• 常圧水素中におけるSi基板のエピ成長前処理
• シリコンエピタキシャル成長におけるドーパントガスの輸送現象解析
• シリコンエピタキシャル成長の三次元シミュレーション
• 回転基板上へのシリコンエピタキシャル成長の三次元数値解析
• 輸送現象と表面反応を考慮した SiHCl_3-H_2 系 Si エピタキシャル成長の三次元数値解析
• 環状赤外線放射加熱炉における加熱分布の数値解析
• シリコンエピタキシャル成長の数値計算と予測技術
• 計算の環境

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