常圧水素中におけるSi基板のエピ成長前処理
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概要
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Cleaning method of silicon substrate surfaoe is studied in hydrogen ambient at atmospheric pressure using HF gas at room temperature for removing native oxide film and HCl gas at 973K tor removing organic hydrocarbon film on the substrate surface. Epitaxial silicon film can be grown on the surface after the cleaning method in this study.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
大塚 徹
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
片山 正健
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
羽深 等
横浜国立大学大学院工学研究院
-
羽深 等
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
片山 正健
信越半導体
-
羽深 等
横浜国立大学大学院
-
羽深 等
信越半導体(株)
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