シリコンエピタキシャル成長の数値計算と予測技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
常圧 SiHCl<SUB>3</SUB>-H<SUB>2</SUB>系シリコンエピタキシャル成長に関わる輸送現象とシリコン基板表面の化学反応のモデル化により, 幅広い成長温度 (1073-1398K), SiHCl<SUB>3</SUB>ガス濃度, 基板回転数にわたりエピタキシャル成長速度予測が可能となった.併せて, コールドウォールの水平型エピタキシャル成長装置における成長原料ガス (SiHCl<SUB>3</SUB>) およびドーパントガス (B<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>) に対する基板回転と熱拡散現象の影響を考察した.拡散現象と熱拡散現象による流束の比率, 気相から基板表面へのガス輸送と基板表面の化学反応の比率を検討し, 原料ガス供給量に対するエピタキシャル成長速度の非直線的変化が輸送現象および表面反応に起因することを示した.最後に, シリコンエピタキシャル成長における今後の研究の展望について記した.
- 社団法人 化学工学会の論文
- 1998-07-10
著者
関連論文
- エレクトロニクス・実装プロセス工学
- エレクトロニクス・実装プロセス工学
- エレクトロニクス・実装プロセス工学
- パワーデバイス材料のCVD : SiC薄膜の成長法・成長機構と展開
- 23aB1 シリコンエピタキシャル成長におけるホウ素取り込みの数値計算モデル(エピタキシャル成長I)
- SiHCl_3-H_2系シリコン気相エピタキシャル成長の化学種観察 : 気相成長III
- 常圧水素中におけるSi基板のエピ成長前処理
- ガス状有機汚染物質の壁面付着量の実時間計測と付着挙動の評価
- シリコンエピタキシャル成長におけるドーパントガスの輸送現象解析
- シリコンエピタキシャル成長の三次元シミュレーション
- 回転基板上へのシリコンエピタキシャル成長の三次元数値解析
- 輸送現象と表面反応を考慮した SiHCl_3-H_2 系 Si エピタキシャル成長の三次元数値解析
- 横浜国立大学大学院工学府機能発現工学専攻物質とエネルギーの創生工学コース羽深研究室
- 半導体材料プロセスにおける原子層成長の展開：薄膜作製装置のクリーニング技術
- 半導体材料とプロセス
- 半導体材料プロセス
- Siエピタキシャル薄膜作製プロセスのシミュレーション
- エレクトロニクス・実装プロセス工学
- 環状赤外線放射加熱炉における加熱分布の数値解析
- 全体の動向 (特集:あるべき半導体産業資源回生--シリコン関連)
- シリコンエピタキシャル成長の数値計算と予測技術
- 17aB07 モノメチルシランの気相熱分解化学反応における塩化水素の効果(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
- ISCC2010コンタミネーションコントロール国際シンポジウムの報告
- 半導体材料プロセスにおける原子層成長の展開 : 薄膜作製装置のクリーニング技術
- 3次元実装の要素プロセス技術
- Si結晶薄膜作製プロセスの化学工学
- 半導体材料プロセスの化学工学的課題 (特集 最先端化学工学の展望)
- 計算の環境
- エレクトロニクス・実装プロセス工学