SiHCl_3-H_2系シリコン気相エピタキシャル成長の化学種観察 : 気相成長III
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概要
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Chemical species in gas phase for silicon epitaxial growth in SiHCl_3-H_2 system are studied at 973-1273K at 1 atm using quadrupole mass spectroscopy. The dominant silicon species in the exhaust gas out of the horizontal cold-wall single-wafer reactor is observed to be SiHCl_3.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
-
大塚 徹
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
奥山 喜久夫
広島大学工学研究科
-
島田 学
広島大学工学部 第三類化学
-
島田 学
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座
-
島田 学
広島大学工学部
-
羽深 等
横浜国立大学大学院工学研究院
-
羽深 等
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
秋山 昌次
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
Okuyama K
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
-
羽深 等
横浜国立大学大学院
-
羽深 等
信越半導体(株)
-
奥山 喜久夫
広島大学工
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