23aB1 シリコンエピタキシャル成長におけるホウ素取り込みの数値計算モデル(エピタキシャル成長I)
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概要
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The numerical calculation model for boron incorporation in silicon epitaxial film is discussed, for the first time, accounting for the transport phenomena of B_2H_6, SiHCI_3,HCl and H_2 gases in addition to those of heat and flow in the horizontal cold-wall single-wafer epitaxial reactor.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
-
大塚 徹
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
奥山 喜久夫
広島大学工学研究科
-
島田 学
広島大学工学部 第三類化学
-
島田 学
広島大学大学院工学研究科物質化学システム専攻化学工学講座
-
島田 学
広島大学工学部
-
羽深 等
横浜国立大学大学院工学研究院
-
羽深 等
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
曲 偉蜂
信越半導体(株)半導体磯部研究所
-
Okuyama K
Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn
-
羽深 等
横浜国立大学大学院
-
羽深 等
信越半導体(株)
-
奥山 喜久夫
広島大学工
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